Perbedaan Antara IGBT dan MOSFET

IGBT vs MOSFET

MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) dan IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) adalah dua jenis transistor, dan keduanya termasuk dalam kategori gate driven. Kedua perangkat memiliki struktur yang mirip dengan berbagai jenis lapisan semikonduktor.

Transistor Efek Medan Oksida Semikonduktor Logam (MOSFET)

MOSFET adalah jenis Field Effect Transistor (FET), yang terbuat dari tiga terminal yang dikenal sebagai 'Gerbang', 'Sumber' dan 'Tiriskan'. Di sini, mengalirkan arus dikendalikan oleh tegangan gerbang. Oleh karena itu, MOSFET adalah perangkat yang dikontrol tegangan.

MOSFET tersedia dalam empat jenis berbeda, seperti saluran n atau saluran p, dengan mode deplesi atau peningkatan. Tiriskan dan sumber terbuat dari semikonduktor tipe n untuk MOSFET kanal n, dan demikian pula untuk perangkat saluran p. Gerbang terbuat dari logam, dan dipisahkan dari sumber dan tiriskan menggunakan oksida logam. Insulasi ini menyebabkan konsumsi daya yang rendah, dan ini merupakan keuntungan dalam MOSFET. Oleh karena itu, MOSFET digunakan dalam logika CMOS digital, di mana MOSFET saluran p dan n digunakan sebagai blok bangunan untuk meminimalkan konsumsi daya.

Meskipun konsep MOSFET diusulkan sangat awal (pada tahun 1925), secara praktis diterapkan pada tahun 1959 di Bell labs.

Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi (IGBT)

IGBT adalah perangkat semikonduktor dengan tiga terminal yang dikenal sebagai 'Emitter', 'Collector' dan 'Gate'. Ini adalah jenis transistor, yang dapat menangani jumlah daya yang lebih tinggi, dan memiliki kecepatan switching yang lebih tinggi membuatnya efisien tinggi. IGBT diperkenalkan ke pasar pada 1980-an.

IGBT memiliki fitur gabungan antara MOSFET dan transistor sambungan bipolar (BJT). Ini didorong gerbang seperti MOSFET, dan memiliki karakteristik tegangan arus seperti BJT. Oleh karena itu, ia memiliki kelebihan baik kemampuan penanganan arus tinggi, dan kemudahan kontrol. Modul IGBT (terdiri dari sejumlah perangkat) dapat menangani kilowatt daya.