Perbedaan Antara IGBT dan GTO

IGBT vs GTO

GTO (Gate Turn-off Thyristor) dan IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) adalah dua jenis perangkat semikonduktor dengan tiga terminal. Keduanya digunakan untuk mengontrol arus dan untuk tujuan switching. Kedua perangkat memiliki terminal pengendali yang disebut 'gerbang', tetapi memiliki prinsip operasi yang berbeda.

GTO (Gate Turn-off Thyristor)

GTO terbuat dari empat lapisan tipe semikonduktor tipe P dan N, dan struktur perangkat sedikit berbeda dibandingkan dengan thyristor normal. Dalam analisis, GTO juga dianggap sebagai pasangan transistor berpasangan (satu PNP dan lainnya dalam konfigurasi NPN), sama seperti untuk thyristor normal. Tiga terminal GTO disebut 'anoda', 'katoda' dan 'gerbang'.

Dalam operasi, thyristor bertindak ketika pulsa diberikan ke gerbang. Ini memiliki tiga mode operasi yang dikenal sebagai 'mode pemblokiran terbalik', 'mode pemblokiran maju' dan 'mode penghantar maju'. Setelah gerbang dipicu dengan denyut nadi, thyristor pergi ke 'mode melakukan maju' dan terus melakukan sampai arus maju menjadi kurang dari ambang 'menahan arus'.

Selain fitur thyristor normal, 'off' GTO juga dapat dikontrol melalui pulsa negatif. Pada thyristor normal, fungsi 'mati' terjadi secara otomatis.

GTO adalah perangkat yang kuat, dan sebagian besar digunakan untuk mengganti aplikasi saat ini.

Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi (IGBT)

IGBT adalah perangkat semikonduktor dengan tiga terminal yang dikenal sebagai 'Emitter', 'Collector' dan 'Gate'. Ini adalah jenis transistor yang dapat menangani jumlah daya yang lebih tinggi dan memiliki kecepatan switching yang lebih tinggi sehingga membuatnya efisien tinggi. IGBT telah diperkenalkan ke pasar pada 1980-an.

IGBT memiliki fitur gabungan antara MOSFET dan transistor sambungan bipolar (BJT). Ini didorong gerbang seperti MOSFET dan memiliki karakteristik tegangan arus seperti BJT. Oleh karena itu ia memiliki kelebihan baik kemampuan penanganan arus tinggi dan kemudahan kontrol. Modul IGBT (terdiri dari sejumlah perangkat) menangani daya kilowatt.

Apa perbedaan antara IGBT dan GTO?

1. Tiga terminal IGBT dikenal sebagai emitor, kolektor dan gerbang, sedangkan GTO memiliki terminal yang dikenal sebagai anoda, katoda, dan gerbang.

2. Gerbang GTO hanya membutuhkan pulsa untuk switching, sedangkan IGBT membutuhkan pasokan tegangan gerbang yang berkelanjutan.

3. IGBT adalah jenis transistor dan GTO adalah jenis thyristor, yang dapat dianggap sebagai pasangan transistor yang tergabung erat dalam analisis.

4. IGBT hanya memiliki satu persimpangan PN, dan GTO memiliki tiga di antaranya

5. Kedua perangkat digunakan dalam aplikasi daya tinggi.

6. GTO membutuhkan perangkat eksternal untuk mengontrol mematikan dan pada pulsa, sedangkan IGBT tidak perlu.