Perbedaan Antara IGBT dan Thyristor

IGBT vs Thyristor

Thyristor dan IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) adalah dua jenis perangkat semikonduktor dengan tiga terminal dan keduanya digunakan untuk mengontrol arus. Kedua perangkat memiliki terminal pengendali yang disebut 'gerbang', tetapi memiliki prinsip operasi yang berbeda.

Thyristor

Thyristor terbuat dari empat lapisan semikonduktor bolak-balik (dalam bentuk P-N-P-N), oleh karena itu, terdiri dari tiga persimpangan PN. Dalam analisis, ini dianggap sebagai pasangan transistor yang sangat erat (satu PNP dan lainnya dalam konfigurasi NPN). Lapisan semikonduktor tipe P dan N terluar masing-masing disebut anoda dan katoda. Elektroda yang terhubung ke lapisan semikonduktor tipe P dalam dikenal sebagai 'gerbang'.

Dalam operasi, thyristor bertindak ketika pulsa diberikan ke gerbang. Ini memiliki tiga mode operasi yang dikenal sebagai 'mode pemblokiran terbalik', 'mode pemblokiran maju' dan 'mode penghantar maju'. Setelah gerbang dipicu dengan denyut nadi, thyristor pergi ke 'mode melakukan maju' dan terus melakukan sampai arus maju menjadi kurang dari ambang 'menahan arus'.

Thyristor adalah perangkat daya dan sebagian besar digunakan dalam aplikasi yang melibatkan arus dan voltase tinggi. Aplikasi thyristor yang paling banyak digunakan adalah mengendalikan arus bolak-balik.

Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi (IGBT)

IGBT adalah perangkat semikonduktor dengan tiga terminal yang dikenal sebagai 'Emitter', 'Collector' dan 'Gate'. Ini adalah jenis transistor, yang dapat menangani jumlah daya yang lebih tinggi dan memiliki kecepatan switching yang lebih tinggi membuatnya sangat efisien. IGBT telah diperkenalkan ke pasar pada 1980-an.

IGBT memiliki fitur gabungan antara MOSFET dan transistor sambungan bipolar (BJT). Ini didorong gerbang seperti MOSFET dan memiliki karakteristik tegangan arus seperti BJT. Oleh karena itu, ia memiliki kelebihan baik kemampuan penanganan arus tinggi dan kemudahan kontrol. Modul IGBT (terdiri dari sejumlah perangkat) menangani daya kilowatt.

Secara singkat:

Perbedaan Antara IGBT dan Thyristor

1. Tiga terminal IGBT dikenal sebagai emitor, kolektor dan gerbang, sedangkan thyristor memiliki terminal yang dikenal sebagai anoda, katoda dan gerbang.

2. Gerbang thyristor hanya perlu pulsa untuk berubah menjadi mode konduksi, sedangkan IGBT membutuhkan pasokan tegangan gerbang yang berkelanjutan.

3. IGBT adalah jenis transistor, dan thyristor dianggap sebagai pasangan pasangan yang erat dalam analisis.

4. IGBT hanya memiliki satu persimpangan PN, dan thyristor memiliki tiga dari mereka.

5. Kedua perangkat digunakan dalam aplikasi daya tinggi.