Perbedaan Antara BJT dan IGBT

BJT vs IGBT

BJT (Bipolar Junction Transistor) dan IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) adalah dua jenis transistor yang digunakan untuk mengontrol arus. Kedua perangkat memiliki persimpangan PN dan berbeda dalam struktur perangkat. Meskipun keduanya adalah transistor, mereka memiliki perbedaan karakteristik yang signifikan.

BJT (Bipolar Junction Transistor)

BJT adalah jenis transistor yang terdiri dari dua persimpangan PN (persimpangan yang dibuat dengan menghubungkan semikonduktor tipe p dan semikonduktor tipe n). Dua persimpangan ini dibentuk menggunakan penghubung tiga potongan semikonduktor dalam urutan P-N-P atau N-P-N. Oleh karena itu ada dua jenis BJT, yang dikenal sebagai PNP dan NPN, tersedia.

Tiga elektroda terhubung ke tiga bagian semikonduktor ini dan timah tengah disebut 'basis'. Dua persimpangan lainnya adalah 'emitor' dan 'kolektor'.

Di BJT, emitor kolektor besar (I_c) arus dikendalikan oleh arus emitor basis kecil (I_B), dan properti ini dieksploitasi untuk mendesain amplifier atau switch. Oleh karena itu, dapat dianggap sebagai perangkat yang digerakkan saat ini. BJT sebagian besar digunakan dalam rangkaian penguat.

IGBT (Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi)

IGBT adalah perangkat semikonduktor dengan tiga terminal yang dikenal sebagai 'Emitter', 'Collector' dan 'Gate'. Ini adalah jenis transistor, yang dapat menangani jumlah daya yang lebih tinggi dan memiliki kecepatan switching yang lebih tinggi membuatnya sangat efisien. IGBT telah diperkenalkan ke pasar pada 1980-an.

IGBT memiliki fitur gabungan antara MOSFET dan transistor sambungan bipolar (BJT). Ini didorong gerbang seperti MOSFET dan memiliki karakteristik tegangan arus seperti BJT. Oleh karena itu ia memiliki kelebihan baik kemampuan penanganan arus tinggi, dan kemudahan kontrol. Modul IGBT (terdiri dari sejumlah perangkat) menangani daya kilowatt.